次世代半導体の量産を目指しているラピダス（本社・東京都千代田区）は2025年7月18日、千歳市美々の新工場「IIM-1（イーム・ワン）」で試作した回路線幅2nm（ナノは10億分の1）の半導体で、トランジスタ動作を確認したと発表した。ラピダスは、2024年12月25日に、2nmの回路が形成できるASML（オランダ）のEUV（極端紫外線）露光装置をIIM-1に搬入、2025年4月1日には、パターンの露光・現像に成功、その3ヵ月後の同年7月10日、試作ウエハーにおいて、2nmのGAA（ゲートオールアラウンド）トランジスタの動作を、日本で初めて確認した。ラピダスの小池淳義社長兼CEOは、「2027年の量産化に向けて、大きなマイルストーンを超えた」と話した。（写真は、2nm GAAトランジスタ試作ウエハーを披露する小池社長ら。左から、ラピダス・東哲郎会長、小池淳義社長、道・鈴木直道知事、千歳市・横田隆一市長）
この日、千歳市のANAクラウンプラザホテル千歳で開催された「カスタマーイベント」に合わせて行われた記者会見には、ラピダスの東哲郎会長、小池社長、鈴木直道知事、横田隆一千歳市長が出席した
ラピダスが2nm半導体試作品でトランジスタ動作確認、小池淳義社長「大きなマイルストーンを超えた」
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